SIR164DP-T1-RE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIR164DP-T1-RE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIR164DP-T1-RE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

123nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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SIR104DP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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