SIS782DN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIS782DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIS782DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

41W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8
Otros nombres

SIS782DN-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1025pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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SIS892DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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