SISA26DN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SISA26DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SISA26DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serie

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

39W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8S
Otros nombres

SISA26DN-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2247pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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SISA18ADN-T1-GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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