Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > SISS10DN-T1-GE3
RFQs/Orden (0)
español
español
232944Imagen SISS10DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS10DN-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.472
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    SISS10DN-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SISS10DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    57W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    SISS10DN-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3750pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Intel recibirá $ 7.86 mil millones en subsidios bajo la Le...

27/11/2024

AMD lanza la construcción de la segunda fase del Bangalore...

26/11/2024

La tarjeta gráfica NVIDIA RTX 5090 tiene un área de GPU d...

25/11/2024

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

23/11/2024

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

22/11/2024

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "SISS10DN-T1-GE3".
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Descripción: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Descripción: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.