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38550Imagen SISS27ADN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS27ADN-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SISS27ADN-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SISS27ADN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Serie
    TrenchFET® Gen III
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.1 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    57W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® 1212-8S
  • Otros nombres
    SISS27ADN-T1-GE3DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4660pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    55nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
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