SISS65DN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SISS65DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SISS65DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8S
Serie

TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @Id, Vgs

4.6 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8S
Otros nombres

SISS65DN-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4930pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

138nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25.9A (Ta), 94A (Tc)

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SISS40DN-T1-GE3

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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