SIUD402ED-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIUD402ED-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 0806
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

730 mOhm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 0806
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.2nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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HUF76423D3S

Descripción: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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