SQM120P06-07L_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQM120P06-07L_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQM120P06-07L_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

375W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SQM120P06-07L_GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14280pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

270nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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SQM120N06-06_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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