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2192222Imagen SQP120N10-09_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQP120N10-09_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQP120N10-09_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SQP120N10-09_GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 30A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    375W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8645pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: RES 9.1 OHM 10W 5% AXIAL

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Descripción: RES 910 OHM 10W 5% AXIAL

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