UGE8JT-E3/45

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

4000+

$0.378

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

UGE8JT-E3/45
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UGE8JT-E3/45.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.75V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-220AC
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

30µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

-

Los siguientes son productos relacionados con "UGE8JT-E3/45".

MBR15U60-TP

Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

Existencias disponibles

RFQ

1N4933-T

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

UGE5HT-E3/45

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UGE8HT-E3/45

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UGE5JT-E3/45

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UGE0421AY4

Descripción: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

UGE10CCT-E3/45

Descripción: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UGE10DCT-E3/45

Descripción: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

DSA17-18A

Descripción: DIODE AVALANCHE 1.8KV 25A DO203

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

UGE18CCT-E3/45

Descripción: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

UGE18DCT-E3/45

Descripción: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

1N3296R

Descripción: STANDARD RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

RFQ

S5AC-13

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 5A SMC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

UGE1112AY4

Descripción: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

BAV116WS-7

Descripción: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

RFQ

IDP45E60XKSA1

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 71A TO220-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

Existencias disponibles

RFQ

FFPF20UP20STU

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

UGE3126AY4

Descripción: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

FR107G A0G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

UGE0221AY4

Descripción: DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

UGE8JT-E3/45

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

MBR15U60-TP

1N4933-T

UGE5HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

UGE5JT-E3/45

UGE0421AY4

UGE10CCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

DSA17-18A

UGE18CCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

1N3296R

S5AC-13

UGE1112AY4

BAV116WS-7

IDP45E60XKSA1

FFPF20UP20STU

UGE3126AY4

FR107G A0G

UGE0221AY4

Seleccione el idioma

Idioma actual