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5326645Imagen US1JHE3_A/HElectro-Films (EFI) / Vishay

US1JHE3_A/H

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$0.101
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Especificaciones
  • Número de pieza
    US1JHE3_A/H
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    75ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    US1JHE3_A/HGITR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    US1J
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1JDF-13

US1JDF-13

Descripción: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1JHM2G

US1JHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1JE-TP

US1JE-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
US1K-13-F

US1K-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
US1JHR3G

US1JHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1JFA

US1JFA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
US1K M2G

US1K M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1J/1

US1J/1

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
US1J-TP

US1J-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1K-13

US1K-13

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1K R3G

US1K R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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