GA05JT03-46

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Especificaciones

Número de pieza

GA05JT03-46
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS SJT 300V 9A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GA05JT03-46.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo

TO-46
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 5A
La disipación de energía (máximo)

20W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-46-3
Otros nombres

1242-1252
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

-
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

300V 9A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-46
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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