GA05JT12-247

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Especificaciones

Número de pieza

GA05JT12-247
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS SJT 1200V 5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GA05JT12-247.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo

TO-247AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

280 mOhm @ 5A
La disipación de energía (máximo)

106W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

1242-1185
GA05JT12247
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

-
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

1200V 5A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-247AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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GA0603A100FBAAT31G

Descripción: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0603

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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