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2108240Imagen GAP3SLT33-214GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

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$18.743
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Especificaciones
  • Número de pieza
    GAP3SLT33-214
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GAP3SLT33-214.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.2V @ 300mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    3300V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AA
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Otros nombres
    1242-1172-6
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 3300V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    300mA (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Número de pieza base
    GAP3SLT33

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