GB100XCP12-227

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Especificaciones

Número de pieza

GB100XCP12-227
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 100A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GB100XCP12-227.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
Paquete / Cubierta

SOT-227-4
Otros nombres

1242-1142
GB100XCP12227
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
termistor NTC

No
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

8.55nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
Descripción detallada

IGBT Module PT Single 1200V 100A Chassis Mount SOT-227
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100A
Configuración

Single

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GB10SLT12-214

Descripción: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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