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6352048Imagen GBU10DGeneSiC Semiconductor

GBU10D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GBU10D
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE BRIDGE 200V 10A GBU
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.GBU10D.pdf
    2.GBU10D.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    200V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 10A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    GBU
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    4-SIP, GBU
  • Otros nombres
    1242-1223
    GBU10DGN
    GBU10DGN-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A

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