MUR40005CTR

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Especificaciones

Número de pieza

MUR40005CTR
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 50V 400A 2TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MUR40005CTR.pdf
2.MUR40005CTR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 125A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

Twin Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

90ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Twin Tower
Otros nombres

MUR40005CTRGN
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 400A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

400A (DC)

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MUR405

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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