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3373038Imagen IS42S16100H-6BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16100H-6BLI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S16100H-6BLI
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.5ns
IS42S16100H-6BL-TR

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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16100F-7TLI

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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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