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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43DR16320E-25DBLI

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Imagen IS43DR16320E-25DBLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16320E-25DBLI

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Especificaciones

Número de pieza

IS43DR16320E-25DBLI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS43DR16320E-25DBLI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

SDRAM - DDR2
Paquete del dispositivo

84-TWBGA (8x12.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

84-TFBGA
Otros nombres

706-1556
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (32M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
Frecuencia de reloj

400MHz
Tiempo de acceso

400ns

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