ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NLP25636A-200B2I-TR

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Especificaciones

Número de pieza

IS61NLP25636A-200B2I-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IS61NLP25636A-200B2I-TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.465 V
Tecnología

SRAM - Synchronous
Paquete del dispositivo

119-PBGA (14x22)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

119-BBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (256K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

3.1ns

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