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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXBK75N170

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Imagen IXBK75N170

IXYS Corporation

IXBK75N170

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100+

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Especificaciones

Número de pieza

IXBK75N170
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1700V 200A 1040W TO264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXBK75N170.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1700V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A
Condición de prueba

-
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

-
Cambio de Energía

-
Paquete del dispositivo

TO-264
Serie

BIMOSFET™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.5µs
Potencia - Max

1040W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

350nC
Descripción detallada

IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole TO-264
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

580A
Corriente - colector (Ic) (Max)

200A
Número de pieza base

IXB*75N170

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