IXFH18N100Q3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

$22.012

10+

$21.036

30+

$19.345

90+

$17.87

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

IXFH18N100Q3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFH18N100Q3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

6.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AD (IXFH)
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

660 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

830W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4890pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "IXFH18N100Q3".

IXFH170N10P

Descripción: MOSFET N-CH 100V 170A TO-247

Fabricantes: IXYS Corporation

Existencias disponibles

IXFH18N100Q3

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Institución: se espera que el chip auto-desarrollado de Ap...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM CEO advierte sobre los riesgos de suministro de chips y...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics actualiza la tecnología de chips...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

SK Hynix planea invertir más de KRW 20 billones este año ...

El Departamento de Comercio de los Estados Unidos emitirá ...

Expo Electronica 2025: Russia’s Premier Electronics Show H...

TSMC planea producir en masa el embalaje de nivel de panel ...

Chip Origin Reclassification: A New Battleground in the Glo...

Seleccione el idioma

Idioma actual