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Imagen IXFJ32N50Q

IXYS Corporation

IXFJ32N50Q

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Especificaciones

Número de pieza

IXFJ32N50Q
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFJ32N50Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

153nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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