IXFK210N30X3

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Especificaciones

Número de pieza

IXFK210N30X3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFK210N30X3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-264
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.5 mOhm @ 105A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1250W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

24.2nF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

375nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 210A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

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IXFK180N25T

Descripción: MOSFET N-CH 250V 180A TO-264

Fabricantes: IXYS Corporation

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