IXFN80N60P3

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Especificaciones

Número de pieza

IXFN80N60P3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFN80N60P3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

HiPerFET™, Polar3™
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

190nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

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IXFP102N15T

Descripción: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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