IXFP12N65X2

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Especificaciones

Número de pieza

IXFP12N65X2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFP12N65X2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

310 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

180W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1134pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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