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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFR180N085

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Imagen IXFR180N085

IXYS Corporation

IXFR180N085

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Especificaciones

Número de pieza

IXFR180N085
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFR180N085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS247™
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

7 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

400W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOPLUS247™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

320nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

85V
Descripción detallada

N-Channel 85V 180A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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