IXFR200N10P

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Especificaciones

Número de pieza

IXFR200N10P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFR200N10P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS247™
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOPLUS247™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

235nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 133A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

133A (Tc)

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IXFR180N10

Descripción: MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247

Fabricantes: IXYS Corporation

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