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Imagen IXFR180N10

IXYS Corporation

IXFR180N10

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Especificaciones

Número de pieza

IXFR180N10
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFR180N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS247™
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)

400W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOPLUS247™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

400nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 165A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

165A (Tc)

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