IXFT30N85XHV

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Especificaciones

Número de pieza

IXFT30N85XHV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFT30N85XHV.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268 (IXFT)
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

220 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

695W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

850V
Descripción detallada

N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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IXFT26N60Q

Descripción: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268

Fabricantes: IXYS Corporation

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