IXFX120N20

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Especificaciones

Número de pieza

IXFX120N20
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFX120N20.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PLUS247™-3
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

560W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

IFX120N20
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFX120N20".

IXFX12N90Q

Descripción: MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247

Fabricantes: IXYS Corporation

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