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Imagen IXFY4N85X

IXYS Corporation

IXFY4N85X

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Especificaciones

Número de pieza

IXFY4N85X
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFY4N85X.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252 (IXFY)
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

247pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

850V
Descripción detallada

N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252 (IXFY)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

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