IXKC19N60C5

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Especificaciones

Número de pieza

IXKC19N60C5
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXKC19N60C5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 1.1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS220™
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOPLUS220™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 19A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

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IXK611S1T/R

Descripción: IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC

Fabricantes: IXYS Corporation

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