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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTI10N60P

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Imagen IXTI10N60P

IXYS Corporation

IXTI10N60P

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Especificaciones

Número de pieza

IXTI10N60P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTI10N60P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262 (I2PAK)
Serie

PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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