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Imagen IXTK110N30

IXYS Corporation

IXTK110N30

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25+

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Especificaciones

Número de pieza

IXTK110N30
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTK110N30.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-264 (IXTK)
Serie

MegaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

730W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

390nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 110A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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