IXTK102N30P

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Especificaciones

Número de pieza

IXTK102N30P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTK102N30P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-264 (IXTK)
Serie

PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs

33 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

700W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

224nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

102A (Tc)

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IXTH96N20P

Descripción: MOSFET N-CH 200V 96A TO-247

Fabricantes: IXYS Corporation

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