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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTN30N100L

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Imagen IXTN30N100L

IXYS Corporation

IXTN30N100L

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Especificaciones

Número de pieza

IXTN30N100L
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTN30N100L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

450 mOhm @ 15A, 20V
La disipación de energía (máximo)

800W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

Q3424174
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

545nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 30A (Tc) 800W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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