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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTN170P10P

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Imagen IXTN170P10P

IXYS Corporation

IXTN170P10P

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Especificaciones

Número de pieza

IXTN170P10P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTN170P10P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

PolarP™
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

890W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

240nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 170A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

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