IXTN120N25

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Especificaciones

Número de pieza

IXTN120N25
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

MegaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

730W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

360nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Fabricantes: IXYS Corporation

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