IXTP64N055T

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Especificaciones

Número de pieza

IXTP64N055T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTP64N055T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs

13 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

130W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

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IXTP52P10P

Descripción: MOSFET P-CH 100V 52A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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