IXTX6N200P3HV

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Especificaciones

Número de pieza

IXTX6N200P3HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTX6N200P3HV.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247PLUS-HV
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free by exemption / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

143nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

2000V
Descripción detallada

N-Channel 2000V 6A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247PLUS-HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXTX6N200P3HV".

IXTX240N075L2

Descripción: MOSFET N-CH

Fabricantes: IXYS Corporation

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