IXTY08N100P

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Especificaciones

Número de pieza

IXTY08N100P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTY08N100P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

Polar™
RDS (Max) @Id, Vgs

20 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Tc)

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IXTY18P10T

Descripción: MOSFET P-CH 100V 18A TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation

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