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3454040Imagen IPI037N06L3GHKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI037N06L3GHKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPI037N06L3GHKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPI037N06L3GHKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 93µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.7 mOhm @ 90A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    167W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Otros nombres
    IPI037N06L3 G
    IPI037N06L3 G-ND
    SP000397910
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    79nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A

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Descripción: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

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Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

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Descripción: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

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