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1827270Imagen IPI041N12N3GAKSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI041N12N3GAKSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IPI041N12N3GAKSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IPI041N12N3GAKSA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    300W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Otros nombres
    IPI041N12N3 G
    IPI041N12N3 G-ND
    IPI041N12N3G
    SP000652748
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    13800pF @ 60V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    211nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    120V
  • Descripción detallada
    N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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