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IRF5805TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF5805TR
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IRF5805TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Micro6™(TSOP-6)
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    98 mOhm @ 3.8A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    511pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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