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IRF5806TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRF5806TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRF5806TRPBF.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Micro6™(TSOP-6)
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    86 mOhm @ 4A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Otros nombres
    IRF5806TRPBF-ND
    IRF5806TRPBFTR
    SP001576892
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    594pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    11.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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