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IRFD9123

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFD9123
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    4-HVMDIP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    600 mOhm @ 600mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    390pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    P-Channel 100V 1A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

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