International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM8326TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHM8326TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHM8326TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 37W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IRFHM8326TRPBFTR
SP001570892
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2496pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)

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