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4141650Imagen IRLML2502TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)

IRLML2502TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLML2502TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLML2502TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Micro3™/SOT-23
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.25W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    IRLML2502PBFTR
    IRLML2502PBFTR-ND
    IRLML2502TRPBFTR
    SP001558336
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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