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4286006Imagen IRLML2803GTRPBFInfineon Technologies

IRLML2803GTRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLML2803GTRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLML2803GTRPBF.pdf
  • Voltaje - Prueba
    85pF @ 25V
  • Tensión - Desglose
    Micro3™/SOT-23
  • VGS (th) (Max) @Id
    250 mOhm @ 910mA, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HEXFET®
  • Estado RoHS
    Cut Tape (CT)
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.2A (Ta)
  • Polarización
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    IRLML2803GTRPBFCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    IRLML2803GTRPBF
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5nC @ 10V
  • Tipo de IGBT
    ±20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1V @ 250µA
  • Característica de FET
    N-Channel
  • Descripción ampliada
    N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • relación de capacidades
    540mW (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

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